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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT60R040S7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.02
-
1,485En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,485En existencias
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$9.02
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$6.37
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$4.86
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$4.73
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$4.42
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$4.42
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Si
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SMD/SMT
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HSOF-8
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N-Channel
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1 Channel
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600 V
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13 A
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40 mOhms
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- 20 V, 20 V
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4.5 V
|
83 nC
|
- 55 C
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+ 150 C
|
245 W
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Enhancement
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CoolMOS
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT60R065S7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.25
-
1,089En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R065S7XTMA1
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,089En existencias
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$5.25
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$3.76
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$2.79
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$2.45
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$2.43
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$2.23
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Si
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SMD/SMT
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HSOF-8
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N-Channel
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1 Channel
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600 V
|
8 A
|
65 mOhms
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- 12 V, 12 V
|
3.5 V
|
51 nC
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- 55 C
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+ 150 C
|
167 W
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Enhancement
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CoolMOS
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Reel, Cut Tape
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT60R022S7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.83
-
241En existencias
-
8,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R022S7XTMA1
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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241En existencias
8,000En pedido
Existencias:
241 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
6,000 Se espera el 16/7/2026
2,000 Se espera el 23/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
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$11.83
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$8.17
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$7.05
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$7.05
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Si
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SMD/SMT
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HSOF-8
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N-Channel
|
1 Channel
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600 V
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23 A
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22 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
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150 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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390 W
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Enhancement
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CoolMOS
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R022S7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.18
-
1,500En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R022S7XKSA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,500En pedido
En pedido:
500 Se espera el 24/4/2026
1,000 Se espera el 26/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
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$11.18
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$7.26
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$6.71
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$6.11
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
|
1 Channel
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600 V
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23 A
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22 mOhms
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- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
150 nC
|
- 55 C
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+ 150 C
|
390 W
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Enhancement
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CoolMOS
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Tube
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