Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
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IRF740LCPBF-BE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740PBF-BE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740ASPBF
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET

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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
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1,593En existencias
1,600Se espera el 21/5/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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1,600Se espera el 21/5/2026

Cinta cortada

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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

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125 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF-BE3
Vishay / Siliconix
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IRF740APBF-BE3

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78-IRF740APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

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- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

IRF740ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
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IRF740ASTRRPBF

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$1.24

$1.21

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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