Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB95R310PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.47
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB95R310PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB95R310PFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000En existencias

Cinta cortada

$3.47

$2.26

$1.59

$1.38

Envase tipo carrete

$1.16

$1.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R450PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.76
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450PFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

958En existencias

Cinta cortada

$2.76

$1.79

$1.23

$1.01

$0.925

Envase tipo carrete

$0.818

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB95R130PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.96
531En existencias
1,000Se espera el 28/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPB95R130PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB95R130PFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

531En existencias

1,000Se espera el 28/1/2027

Cinta cortada

$5.96

$4.26

$3.08

Envase tipo carrete

$2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW95R060PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $12.26
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW95R060PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW95R060PFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

228En existencias

$12.26

$12.20

$7.06

$6.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

74.7 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

315 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA95R130PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.88
475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R130PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R130PFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

475En existencias

$5.88

$3.27

$2.99

$2.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

13.9 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.71
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450PFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

500En existencias

$2.71

$1.34

$1.23

$0.989

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R310PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.38
469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R310PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R310PFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

469En existencias

$3.38

$1.71

$1.54

$1.25

$1.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

8.7 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 155 C

31 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW95R130PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.23
435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW95R130PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW95R130PFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

435En existencias

$5.23

$5.19

$3.19

$2.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW95R310PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.46
1,200Se espera el 4/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW95R310PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW95R310PFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,200Se espera el 4/5/2026

$3.46

$3.32

$1.86

$1.55

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB95R450PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.17
1,000Se espera el 9/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB95R450PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB95R450PFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000Se espera el 9/4/2026

Cinta cortada

$3.17

$2.06

$1.51

$1.27

Envase tipo carrete

$1.20

$0.958

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte