Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA95R130PFD7XKSA1
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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

13.9 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

141 nC

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33 W

Enhancement

Tube

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IPB95R130PFD7ATMA1
Infineon Technologies
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MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

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1 Channel

950 V

36.5 A

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227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

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104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPA95R450PFD7XKSA1
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Enhancement

Tube

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IPB95R310PFD7ATMA1
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950 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPA95R310PFD7XKSA1
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Ver

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TO-220FP-3

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950 V

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31 W

Enhancement

Tube

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IPD95R450PFD7ATMA1
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IPD95R450PFD7ATMA1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPW95R060PFD7XKSA1
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1: $13.27
150En existencias
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IPW95R060PFD7XKSA1

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74.7 A

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3.5 V

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- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

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IPW95R130PFD7XKSA1
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1: $5.30
338En existencias

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$3.38

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N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

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1: $3.43
Plazo de entrega 13 Semanas

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