Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW95R060PFD7XKSA1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

74.7 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

315 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

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IPB95R130PFD7ATMA1
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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

950 V

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2.5 V

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227 W

Enhancement

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: 1,000

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

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+ 150 C

125 W

Enhancement

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13.3 A

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- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

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104 W

Enhancement

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DPAK-3 (TO-252-3)

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13.3 A

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- 30 V, 30 V

3.5 V

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