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NTMFSS0D9N03P8

Name: onsemi NTMFSS0D9N03P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSS0D9N03P8
Price: 2.78 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFSS0D9N03P8

Fabricante N.º:

NTMFSS0D9N03P8

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$1.29	$129.00
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.929	$2,787.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDFN-9
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	294 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	127 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	49.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19.3 ns
Serie:	NTMFSS0D9N03P8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	125.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20.4 ns

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Hoja de datos

NTMFSS0D9N03P8 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFSS0D9N03P8 N-Channel MOSFET

onsemi NTMFSS0D9N03P8 N-Channel MOSFET is a single source-down MOSFET that features low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. This N-channel MOSFET operates at 30V drain-to-source voltage (V_DS), ±20V gate-to-source voltage (V_GS), and 294A drain current. The NTMFSS0D9N03P8 MOSFET is offered in a 5mm x 6mm package with source down and center gate design to improve power density, efficiency, and thermal performance. This N-channel MOSFET is Pb-free, halogen-free / BFR-free, and RoHS-compliant. The NTMFSS0D9N03P8 MOSFET is ideal for ORing, motor drives, power load switches, and DC/DC.