|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
- FDBL86363-F085
- onsemi
-
1:
$4.96
-
3,968En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86363_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
|
|
3,968En existencias
|
|
|
$4.96
|
|
|
$3.59
|
|
|
$2.57
|
|
|
$2.48
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
240 A
|
2 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
130 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
357 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK N-Channel PowerTrench
- FDD86567-F085
- onsemi
-
1:
$3.14
-
2,783En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86567_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench
|
|
2,783En existencias
|
|
|
$3.14
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
100 A
|
6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
63 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
- FDBL86366-F085
- onsemi
-
1:
$3.95
-
2,692En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86366_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
|
|
2,692En existencias
|
|
|
$3.95
|
|
|
$2.78
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
220 A
|
6.1 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
86 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
- FCH077N65F-F085
- onsemi
-
1:
$7.64
-
888En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH077N65F_F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
|
|
888En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
54 A
|
184 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
126 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
481 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
SuperFET II
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
- FCH041N65F-F085
- onsemi
-
1:
$15.66
-
358En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH041N65F_F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
|
|
358En existencias
|
|
|
$15.66
|
|
|
$9.61
|
|
|
$9.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
76 A
|
96 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
234 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
595 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
SuperFET II
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET
- FDD9409-F085
- onsemi
-
1:
$2.09
-
1,390En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD9409_F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET
|
|
1,390En existencias
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.832
|
|
|
$0.832
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
90 A
|
3.2 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.2 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A
- FDBL86210-F085
- onsemi
-
1:
$5.45
-
3,490En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86210_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A
|
|
3,490En existencias
|
|
|
$5.45
|
|
|
$3.97
|
|
|
$3.14
|
|
|
$3.10
|
|
|
$3.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
169 A
|
5 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.8 V
|
70 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
500 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
- FDD13AN06A0-F085
- onsemi
-
1:
$2.16
-
11,092En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD13AN06A0-F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
|
|
11,092En existencias
|
|
|
$2.16
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.939
|
|
|
$0.749
|
|
|
$0.704
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.677
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
50 A
|
13.5 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
29 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
115 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET
- FDD86367-F085
- onsemi
-
1:
$2.88
-
3,201En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86367_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET
|
|
3,201En existencias
|
|
|
$2.88
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.08
|
|
|
$1.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
100 A
|
8.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
- FCH104N60F-F085
- onsemi
-
1:
$7.26
-
479En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH104N60F_F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
|
|
479En existencias
|
|
|
$7.26
|
|
|
$4.20
|
|
|
$3.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
37 A
|
275 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
109 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
357 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
SuperFET II
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A
- FDC5661N-F085
- onsemi
-
1:
$0.93
-
13,624En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A
|
|
13,624En existencias
|
|
|
$0.93
|
|
|
$0.577
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.289
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.224
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SSOT-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
4.3 A
|
47 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.6 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL N-Channel PowerTrench
- FDBL86361-F085
- onsemi
-
1:
$6.70
-
47En existencias
-
10,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86361F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench
|
|
47En existencias
10,000En pedido
Existencias:
47 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,000 Se espera el 19/5/2026
2,000 Se espera el 5/6/2026
4,000 Se espera el 10/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
50 Semanas
|
|
|
$6.70
|
|
|
$4.52
|
|
|
$3.32
|
|
|
$3.20
|
|
|
$3.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
300 A
|
1.1 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
172 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
429 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL N-Channel PowerTrench
- FDBL86561-F085
- onsemi
-
1:
$6.18
-
51En existencias
-
4,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86561F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench
|
|
51En existencias
4,000En pedido
Existencias:
51 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 19/5/2026
2,000 Se espera el 3/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
|
|
|
$6.18
|
|
|
$4.23
|
|
|
$3.06
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
300 A
|
2.2 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
170 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
429 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
- FDD86369-F085
- onsemi
-
1:
$2.24
-
1,442En existencias
-
2,500Se espera el 2/6/2026
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86369_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
|
|
1,442En existencias
2,500Se espera el 2/6/2026
|
|
|
$2.24
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.974
|
|
|
$0.778
|
|
|
$0.736
|
|
|
$0.709
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
90 A
|
17.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
- FDN5632N-F085
- onsemi
-
1:
$1.04
-
590En existencias
-
180,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
|
|
590En existencias
180,000En pedido
Existencias:
590 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
21,000 Se espera el 21/4/2026
159,000 Se espera el 16/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.65
|
|
|
$0.426
|
|
|
$0.324
|
|
|
$0.297
|
|
|
$0.245
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SSOT-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
1.6 A
|
98 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1 V
|
12 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.1 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK N-Channel PowerTrench
- FDB86563-F085
- onsemi
-
1:
$4.78
-
4,406En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDB86563_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench
|
|
4,406En pedido
En pedido:
2,006 Se espera el 3/7/2026
2,400 Se espera el 6/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
31 Semanas
|
|
|
$4.78
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.25
|
|
|
$1.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-2
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
110 A
|
3.2 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
126 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
333 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
- FDBL86563-F085
- onsemi
-
1:
$6.05
-
3,440Se espera el 20/4/2026
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86563_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
|
|
3,440Se espera el 20/4/2026
|
|
|
$6.05
|
|
|
$4.06
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
240 A
|
2.9 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
130 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
357 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 75A 0.015ohm N-CH
- HUFA76645S3ST-F085
- onsemi
-
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
-
Pedido especial de fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
512-HUFA76645S3ST085
Pedido especial de fábrica
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 75A 0.015ohm N-CH
|
|
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
|
|
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
14 mOhms
|
- 16 V, 16 V
|
1 V
|
153 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
310 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|