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CGHV31500F1

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Mouser N.º:

941-CGHV31500F1

Fabricante N.º:

CGHV31500F1

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

Hoja de datos:

CGHV31500F1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Mouser actualmente no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:	N
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440226-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	500 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 75 C
Dp - Disipación de potencia :	418 W
Marca:	MACOM
Voltaje máximo drenaje-puerta:	- 2.7 V
Frecuencia de trabajo máxima:	3.1 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.7 GHz
Potencia de salida:	500 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT

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Hoja de datos

CGHV31500F1 Hoja de datos (PDF)

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.2

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

MACOM CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band. The gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) delivers an extended pulse capability to meet emerging radar architecture trends.