M25PE10-VMN6P

Alliance Memory
913-M25PE10-VMN6P
M25PE10-VMN6P

Fabricante:

Descripción:
Memoria flash tipo NOR 1Mb, 3V, M25 Page Erasable Serial Flash Memory, 75Mhz, Industrial, SO8N, Tube

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 1,770

Existencias:
1,770 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
2 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.47 $1.47
$1.38 $13.80
$1.34 $33.50
$1.31 $65.50
$1.28 $128.00
$1.24 $310.00
$1.21 $605.00
$1.18 $1,180.00
$1.15 $2,300.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: Memoria flash tipo NOR
SMD/SMT
SOIC-8
1 Mbit
2.7 V
3.6 V
12 mA
SPI
75 MHz
128 k x 8
8 bit
Synchronous
- 40 C
+ 85 C
Tube
Marca: Alliance Memory
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: NOR Flash
Velocidad: 75 MHz
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 15 mA
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320051
TARIC:
8542326100
ECCN:
3A991
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Singapur
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M25Px Serial Flash Embedded Memory Devices

Alliance Memory M25Px Serial Flash Embedded Memory Devices feature advanced write protection mechanisms accessed by a high-speed SPI-compatible bus. These memory devices can be programmed 1byte to 256bytes at a time using the PAGE PROGRAM command. The M25P10A memory device is organized as 4-sectors with each containing 128 pages and the M25P80 memory device is organized as 16-sectors with each containing 256 pages. The M25PE40 memory device is organized as 8-sectors that is divided into 16 sub-sectors each containing 256 pages in each sector and each sub-sector contains 16 pages. The entire memory of the M25P10A and M25P80 devices can be erased using the BULK ERASE command, or it can be erased one sector at a time using the SECTOR ERASE command. The memory of M25PE40 can be erased one page at a time using the PAGE ERASE command. The SECTOR ERASE command can be used for erasing one sector at a time and SUBSECTOR ERASE command for one sub-sector at a time. The M25PE40 memory can also be erased using the BULK ERASE command.