Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs provide an alternative to D²PAK by delivering an industry-leading power density in an innovative 8mm x 8mm footprint. These Nexperia MOSFETs deliver 2x higher continuous current ratings, ultimate thermal performance and reliability, and up to 60% space efficiency. Nexperia LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs are available in automotive AEC-Q101 and industrial grades.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL TRENCH STD LEVEL

BUK7S1R2-40HJ
Nexperia
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BUK7S1R2-40HJ

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771-BUK7S1R2-40HJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL TRENCH STD LEVEL

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$2.59

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$1.31

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

43 V

300 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4.3 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 260 A

BUK7S1R5-40HJ
Nexperia
1: $4.25
6,930En existencias

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BUK7S1R5-40HJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 260 A

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$2.79

$1.96

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SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

43 V

260 A

3.27 mOhms

- 20 V, 20 V

4.3 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 140 A

BUK7S2R5-40HJ
Nexperia
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BUK7S2R5-40HJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 140 A

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$1.46

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SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

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140 A

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4.3 V

38 nC

- 55 C

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135 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 500A

BUK7S0R5-40HJ
Nexperia
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1,516En existencias
4,000Se espera el 28/9/2026

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$3.08

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$2.86

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: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

40 V

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+ 175 C

375 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 50V 200A

PSMN1R5-50YLHX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 50V 200A

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: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

50 V

200 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 55V 200A

PSMN2R0-55YLHX
Nexperia
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PSMN2R0-55YLHX

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771-PSMN2R0-55YLHX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 55V 200A

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SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

55 V

200 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

119 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 325A

BUK7S1R0-40HJ
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BUK7S1R0-40HJ

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SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

40 V

325 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

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BUK7S2R0-40HJ
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BUK7S2R0-40HJ

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771-BUK7S2R0-40HJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 190A

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LFPAK-88-4

N-Channel

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40 V

190 A

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- 55 C

+ 175 C

183 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 425 A

BUK7S0R7-40HJ
Nexperia
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BUK7S0R7-40HJ

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LFPAK-88-4

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1 Channel

40 V

425 A

700 uOhms

- 10 V, 20 V

3 V

144 nC

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