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RFUH25TB3SNZC9

Name: ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZC9
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFUH25TB3SNZC9
Price: 2.49 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RFUH25TB3SNZC9

Fabricante N.º:

RFUH25TB3SNZC9

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Rectificadores Super Fast Recovery Diode

Hoja de datos:

RFUH25TB3SNZC9 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.21	$12.10
	$1.12	$112.00
	$1.02	$510.00
	$0.936	$936.00
	$0.867	$1,734.00
	$0.837	$4,185.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Rectificadores
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FN-2
Vr - Tensión inversa:	350 V
If - Corriente directa:	20 A
Tipo:	Super Fast Recovery Diode
Configuración:	Single
Vf - Tensión directa:	1.45 V
Sobrecorriente máx.:	100 A
Ir - Corriente inversa:	10 uA
Tiempo de recuperación:	30 ns
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Producto:	Rectifiers
Tipo de producto:	Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Alias de las piezas n.º:	RFUH25TB3SNZ

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Technical Resources

Test/Quality Data

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

RFUH25TB3SNZ Super Fast Recovery Diode

ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZ Super Fast Recovery Diode features ultra-low switching loss and high current overload capacity. This recovery diode includes silicon epitaxial planar type construction. The RFUH25TB3SNZ recovery diode offers 350V repetitive peak reverse voltage, 10μA reverse current, and 100A non-repetitive forward surge current. This recovery diode operates at 1.45V maximum forward voltage and stored at -55°C to 150°C temperature range. The RFUH25TB3SNZ super-fast recovery diode is ideal for use in general rectification.