LPDDR4 Memory

Micron LPDDR4 Memory is optimized to address power consumption issues in battery-operated applications. These memory devices offer 33% faster peak bandwidth compared to DDR4. The LPDDR4 Memory provides 5 times lower power consumption in standby mode compared to standard DRAM. These Memory Devices feature Multi-Chip Package (MCP) and Package-on-Package (PoP) designs that save PCB space. The LPDDR4 Memory Devices optimize x16, x32, and x64 configurations and offer BOM savings for certain applications. The LPDDR4 Memory combines performance, power, latency, and physical space, which makes it energy-efficient. These LPDDR4 Memory Devices are suitable for handsets, battery-operated applications, and ultra-portables.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Ancho de bus de datos
Frecuencia de reloj máxima
Paquete / Cubierta
Organización
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT
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444En existencias
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Mult.: 1
Máx.: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 512 M x 32 1.06 V 1.95 V - 30 C + 85 C Tray
Micron MT53E1G32D2FW-046 AAT:C
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 AT
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13En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 1 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
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69En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 1 G x 32 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray