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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
- IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
- Infineon Technologies
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726-IQEH42NE2LM7ZCGS
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
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5,994En existencias
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$3.82
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$2.49
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Si
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PG-WHTFN-9
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25 V
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12 V
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1.7 V
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29 nC
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- 55 C
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
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5,391En existencias
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$3.28
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$1.95
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$1.47
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$1.18
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$1.10
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Si
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Enhancement
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
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Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas
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$3.41
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Si
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N-Channel
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12 V
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29 nC
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Enhancement
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OptiMOS
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Reel, Cut Tape
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- IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
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Si
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16 V
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2 V
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150 W
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Enhancement
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
|
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4,478En existencias
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$2.78
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$1.91
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Si
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N-Channel
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Enhancement
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OptiMOS
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Reel, Cut Tape
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH54NE2LM7UCGATMA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
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4,453En existencias
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$3.13
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Ver
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Min.: 1
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Si
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SMD/SMT
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N-Channel
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25 V
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16 V
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2 V
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27 nC
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Enhancement
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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N.º de artículo de Mouser
726-IQEH68NE2LM7UCGA
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
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|
3,980En existencias
|
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$2.83
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Ver
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Min.: 1
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Si
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SMD/SMT
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N-Channel
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16 V
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22 nC
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
- Infineon Technologies
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1:
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4,716En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IQEH80NE2LM7UCGS
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
|
|
4,716En existencias
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$2.64
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$1.70
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Ver
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$0.841
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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SMD/SMT
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N-Channel
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1 Channel
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25 V
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282 A
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800 uOhms
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16 V
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|
Enhancement
|
OptiMOS
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Reel, Cut Tape
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH84NE2LM7UCGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.49
-
3,975En existencias
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Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
|
|
3,975En existencias
|
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|
$2.49
|
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|
$1.60
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$1.10
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|
Ver
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$0.774
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Si
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SMD/SMT
|
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N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
275 A
|
840 uOhms
|
16 V
|
2 V
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17.2 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
107 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
- IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.64
-
6,000Se espera el 7/5/2026
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IQEH46NE2LM7UCGS
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
|
|
6,000Se espera el 7/5/2026
|
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|
$3.64
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$2.37
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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Si
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SMD/SMT
|
PG-WHTFN-9
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N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
440 A
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460 uOhms
|
16 V
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2 V
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27 nC
|
- 55 C
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150 W
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Enhancement
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