Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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Through Hole
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N-Channel
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800 V
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220 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
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- 55 C
+ 150 C
27 W
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N-Channel
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800 V
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1.1 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
5.7 nC
- 55 C
+ 150 C
21 W
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TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
600 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
10.7 nC
- 55 C
+ 150 C
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$2.72
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$2.33
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SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
800 V
16 A
220 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
105 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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10
$2.74
100
$2.05
500
$1.82
1,000
$1.56
2,500
$1.47
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17.3 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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10
$1.54
100
$1.05
500
$0.836
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$0.784
2,000
$0.712
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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$3.16
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$1.60
100
$1.48
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$1.24
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$1.00
5,000
$0.994
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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800 V
7 A
600 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
10.7 nC
- 55 C
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86 W
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10
$2.38
100
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2,500
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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800 V
10 A
450 mOhms
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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10
$3.33
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$3.05
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$2.55
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25.9 nC
- 55 C
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140 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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$0.793
10,000
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Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
800 V
6 A
900 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
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