60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
Hoja de datos
1,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 215 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
Hoja de datos
1,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
Hoja de datos
1,460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 64 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
Hoja de datos
5,750En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel