NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs are high-performance 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs with a typical RDS(on) of 23mΩ and excellent thermal and switching characteristics. These MOSFETs feature low effective output capacitance, high efficiency, fast switching, and ultra-low gate charge. The NxT2023N065M3S MOSFETs support continuous drain currents up to 72A and operate across a wide temperature range from -55°C to 175°C. These MOSFETs are RoHS-compliant, halide-free, and housed in a compact T2PAK-7L package. The NVT2023N065M3S EliteSiC MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it ideal for automotive-grade applications such as on-board chargers and DC-DC converters in EV/HEV platforms. The NTT2023N065M3S EliteSiC MOSFET is suitable for SMPS, solar inverters, UPS, energy storage, and EV charging infrastructure.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal


onsemi MOSFETs de SiC EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK
Hoja de datos
551En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK automotive grade
Hoja de datos
555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement