Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

IXTY2P50PA

Name: IXYS IXTY2P50PA
Brand: IXYS
SKU: 576-IXTY2P50PA
Price: 4.83 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

576-IXTY2P50PA

Fabricante N.º:

IXTY2P50PA

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252

Hoja de datos:

IXTY2P50PA Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre IXYS IXTY2P50PA

En existencias: 732

Existencias:: 732 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 28 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$4.83	$4.83
	$3.68	$36.80
	$2.20	$154.00
	$2.17	$1,215.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	11.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	58 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	66 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	62 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	70
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	54 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXTY2P50PA Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET

Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET is an easy-to-mount AEC-Q101 qualified MOSFET with low package inductance. This MOSFET is fabricated using the rugged PolarP™ process, features a compact design, and is avalanche-rated. The IXTY2P50PA MOSFET offers -500V drain-source voltage, -2A avalanche current, 150mJ avalanche energy, and 58W power dissipation. This MOSFET operates within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include high-side switches, push-pull amplifiers, automatic test equipment, current regulators, and DC choppers.