Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 236
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138P/SOT23/TO-236AB
1,157,455En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 900 mV 720 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AK/SOT23/TO-236AB
2,182,030Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 50 V 180 mA 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 260 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 7A N-CH TRNCH
132,000Se espera el 9/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 7 A 72 mOhms - 10 V, 10 V 2 V - 55 C + 150 C 8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 55V 7A
140,618En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 55 V 7 A 73 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 11 nC - 55 C + 150 C 8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 3.1A
158,996Se espera el 1/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3.1 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 1.19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002BKW/SOT323/SC-70
141,300Se espera el 23/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A
9,000Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 73.1 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMCPB5530XA/SOT1118/HUSON6
9,000Se espera el 11/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.6 A, 4.5 A 66 mOhms - 10 V, 10 V 900 mV 6.6 nC, 8.8 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1215 N-CH 80V 1.1A
45,200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 80 V 1.1 A 345 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 3 nC - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
470,850Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138BK/SOT23/TO-236AB
298,307En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 480 mV 600 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7613-60E/SOT404/D2PAK
4,800Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 58 A 9.44 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22.9 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 55V 7A
29,851En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 55 V 7 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D
4,475Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 20A
15,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 60A
37,510En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30.1 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
2,990Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.07 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 90.5 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 79A
12,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 26.2 nC - 55 C + 175 C 94.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A
4,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 55V 5.5A
55,847Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 55 V 5.5 A 137 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 4.6A N-CH TRNCH
78,950Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.6 A 147 mOhms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 55V 12A
29,970Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 55 V 12 A 29 mOhms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 35A
3,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 35 A 9.5 mOhms, 9.5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 24.5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K18-40E/SOT1205/LFPAK56D
15,833En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 17.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 14.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D
4,250Se espera el 30/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 30 A 25.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel