Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 236
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AKM/SOT883/XQFN3
39,779En pedido
Min.: 1
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Carrete: 10,000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 P-Channel 1 Channel 50 V 230 mA 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 715 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 20.7A
3,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20.7 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 30A
1,500Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7 mOhms, 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 21.8 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 53A
2,995En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 24.8 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 33A
1,500Se espera el 15/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 24A
1,500Se espera el 26/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 52A
3,000Se espera el 14/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
1,496Se espera el 2/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 96 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 33A
1,500Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 34A
1,902Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 15.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.1 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
1,500Se espera el 21/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 79 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
2,998Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 59 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 100A
1,481Se espera el 21/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 26A
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 12.4 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 16.5 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 18.2A
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 18.2 A 19 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K52-60E/SOT1205/LFPAK56D
2,987Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 47.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 47A
3,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 47 A 13 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 38A
2,915Se espera el 15/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 17 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 13.8 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 30A
1,500Se espera el 9/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 20 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 7.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 32A
2,972Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 21 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 80V 26A
4,500Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 26 A 31 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 13.5 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 17.6A
3,000Se espera el 29/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 17.6 A 32.4 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 17A
4,500Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 43 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 70A
1,500Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 5.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 18 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 64A
3,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64 A 7.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel