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GP3D006A065A

Name: SemiQ GP3D006A065A
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3D006A065A
Price: 2.56 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GP3D006A065A

Fabricante N.º:

GP3D006A065A

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 6A 650V

Hoja de datos:

GP3D006A065A Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	6 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.39 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	35 A
Ir - Corriente inversa:	2 uA, 6 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	GP3D006
Marca:	SemiQ
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Hoja de datos

GP3D006A065A Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V, 6A SiC Schottky Diode

SemiQ 650V, 6A SiC Schottky Diode operates with zero switching loss to greatly increase efficiency and reduce heat dissipation. This diode features power factor correction, zero reverse recovery current, output rectification, fast and temperature-independent switching, and EV charging stations. The SiC Schottky diode offers near-zero switching loss and requires smaller heatsinks. The SiC Schottky diode operates and is stored at -55°C to 175°C temperature range. This Schottky diode is RoHS and REACH compliant. Typical applications include solar inverters, power supplies, motor drives, and charging stations.