Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL 1,611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT WDFN-12 N-Channel 2 Channel 60 V 38 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL 666En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT WDFN-12 N-Channel 2 Channel 40 V 60 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel