Dual N-Channel 80V Automotive Power MOSFET

onsemi Dual N-Channel 80V Automotive Power MOSFET is available in a 5mm x 6mm flat-lead package ideal for compact and efficient designs. The 80V device features a 6.9mΩ RDS(on) (drain-source on-resistance) to minimize conductive losses. The MOSFET includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The device is also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
Hoja de datos
496En existencias
3,000Se espera el 3/4/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 74 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
Hoja de datos
625En existencias
1,500Se espera el 2/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 74 A, 14 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel