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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
MACOM GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
Hoja de datos
57En existencias
30Se espera el 11/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440224 N-Channel 120 V 12 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
Hoja de datos
501En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Hoja de datos
902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT
Hoja de datos
311En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440223 N-Channel 125 V 18 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 150 W
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Hoja de datos
5En existencias
1,200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3.8 V - 40 C + 150 C