Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

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Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x10A
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397En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x15A
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
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880En pedido
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
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894En pedido
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen3
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SiC MOSFETS SiC
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4, Automotive
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SiC MOSFETS SiC TO-247-4