Semiconductores – Mouser Ecuador

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Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DMT3020LSD-13
Diodes Incorporated
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31En existencias
2,500Se espera el 2/8/2027

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DMT3020LSD-13

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621-DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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$1.12

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$0.255

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT32M5LFG-13
Diodes Incorporated
1: $2.16
259En existencias

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DMT32M5LFG-13

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621-DMT32M5LFG-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT32M5LFG-7
Diodes Incorporated
1: $2.24
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DMT32M5LFG-7

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621-DMT32M5LFG-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMT36M1LPS-13
Diodes Incorporated
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5,000Se espera el 17/2/2027

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DMT36M1LPS-13

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621-DMT36M1LPS-13

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DMT4004LPS-13
Diodes Incorporated
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DMT4004LPS-13

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621-DMT4004LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4005SCT
Diodes Incorporated
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DMT4005SCT

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DMT4011LFG-13
Diodes Incorporated
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DMT4011LFG-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4011LFG-7
Diodes Incorporated
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DMT4011LFG-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V

DMT6002LPS-13
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DMT6002LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LSS-13
Diodes Incorporated
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DMT6005LSS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

DMT6007LFG-7
Diodes Incorporated
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DMT6007LFG-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6009LCT
Diodes Incorporated
1: $1.64
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850Se espera el 16/7/2027

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DMT6009LCT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A

DMT6009LK3-13
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DMT6009LK3-13

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621-DMT6009LK3-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6009LPS-13
Diodes Incorporated
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DMT6009LPS-13

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621-DMT6009LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs

DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
1: $2.00
1,990En existencias
2,500Se espera el 19/5/2027

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DMT6009LSS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs

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$0.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
1: $2.02
1,675En existencias
4,000Se espera el 19/2/2027

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DMT6010LFG-7

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621-DMT6010LFG7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

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1,675En existencias

4,000Se espera el 19/2/2027

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$2.02

$0.997

$0.819

$0.663

$0.616

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$0.486

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LPS-13
Diodes Incorporated
1: $1.31
4,144En existencias
2,500Se espera el 15/10/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6016LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

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4,144En existencias

2,500Se espera el 15/10/2027

Cinta cortada

$1.31

$0.606

$0.538

$0.427

$0.375

Envase tipo carrete

$0.33

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LSS-13
Diodes Incorporated
1: $1.32
81En existencias
20,000En pedido

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DMT6016LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

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81En existencias

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$1.32

$0.701

$0.523

$0.411

$0.361

Envase tipo carrete

$0.279

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Máx.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6017LSS-13
Diodes Incorporated
1: $1.52
54En existencias
2,500Se espera el 3/12/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6017LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6017LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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54En existencias

2,500Se espera el 3/12/2027

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$1.52

$0.836

$0.618

$0.55

$0.478

Envase tipo carrete

$0.35

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6018LDR-13
Diodes Incorporated
1: $1.87
353En existencias
20,000Se espera el 13/8/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6018LDR-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6018LDR-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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353En existencias

20,000Se espera el 13/8/2027

Cinta cortada

$1.87

$1.04

$0.769

$0.728

Envase tipo carrete

$0.405

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6018LDR-7
Diodes Incorporated
1: $1.97
32En existencias
6,000Se espera el 19/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT6018LDR-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6018LDR-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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32En existencias

6,000Se espera el 19/10/2026

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$1.97

$1.10

$0.814

$0.793

Envase tipo carrete

$0.47

MouseReel Disponible

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

DMT68M8LSS-13
Diodes Incorporated
1: $1.03
1,769En existencias
2,500Se espera el 19/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT68M8LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT68M8LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

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1,769En existencias

2,500Se espera el 19/2/2027

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$1.03

$0.47

$0.416

Envase tipo carrete

$0.416

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Máx.: 360

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
1: $1.64
411En existencias
2,000Se espera el 19/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT69M8LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT69M8LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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411En existencias

2,000Se espera el 19/3/2027

Cinta cortada

$1.64

$0.906

$0.671

$0.648

Envase tipo carrete

$0.421

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

DMT8012LFG-7
Diodes Incorporated
1: $1.70
2,084En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

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2,084En existencias

Cinta cortada

$1.70

$0.803

$0.715

$0.634

$0.542

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$0.468

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

DMT8012LK3-13
Diodes Incorporated
1: $1.68
946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

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946En existencias

Cinta cortada

$1.68

$0.794

$0.707

$0.652

Envase tipo carrete

$0.45

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