Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 272
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 190,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 206,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 10,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 30,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V 275,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 9,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 2,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF 6,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 3,800Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 175c N-Ch FET 20Vgss 3.8mOhm 20,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 2,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 15,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 10,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss 2,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 5,850Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 15,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 7,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 27,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 5,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 21,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 342,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 60,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 25,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated DGD1504S8-13
Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver SO-8 42,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500