Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Cantidad RoHS
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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3,000Se espera el 3/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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9,998Se espera el 25/8/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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8,179Se espera el 27/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
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1,500Se espera el 3/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
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1En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
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6,000Se espera el 17/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
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5,000En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
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5,440Se espera el 11/9/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
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1,450Se espera el 13/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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1,500Se espera el 17/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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2,993Se espera el 2/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
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2,950Se espera el 13/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2 MOHMS LL
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3,000Se espera el 23/2/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
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3,000Se espera el 27/2/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel
Hoja de datos
3,000Se espera el 2/3/2026
Min.: 1
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Carrete: 3,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
Hoja de datos
1,500Se espera el 27/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
Hoja de datos
1,500Se espera el 2/3/2026
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL
Hoja de datos
3,000Se espera el 23/2/2026
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Min.: 1
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
Hoja de datos
12,000Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
Hoja de datos
6,000Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
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24,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
7,500Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1,500
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
Hoja de datos
1Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
18,000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
Hoja de datos
1,500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500