Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1,350En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 1.4 MOHMS LL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2.5 MOHMS LL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2.8 MOHMS LL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 4.5 MOHMS LL
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