S29CD016J Flash NOR Memory

Infineon Technologies S29CD016J Flash NOR Memory device is floating product fabricated on 110nm process technology. The S29CD016J flash memory is capable of performing simultaneous read and write operations with zero latency on two separate banks. The S29CD016J flash NOR memory operates up to 75MHz (32Mb) or 66MHz (16Mb) and uses a single device supply of 2.5VCC to 2.75VCC. The flash NOR devices are available with dual boot sector configuration, supports Common Flash Interface (CFI), and 20 years of data retention. The Infineon S29CDxJ burst flash device is ideal for demanding automotive applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Serie
Tamaño de memoria
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de lectura activa - máx.
Tipo de interfaz
Frecuencia de reloj máxima
Organización
Ancho de bus de datos
Tipo de tiempo
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Empaquetado
Infineon Technologies Memoria flash tipo NOR PNOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 660
Mult.: 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies Memoria flash tipo NOR Nor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 3,380
Mult.: 3,380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies Memoria flash tipo NOR Nor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1,600
Mult.: 1,600
Carrete: 1,600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel