STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

Resultados: 113
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac 59En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 97En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 5En existencias
1,000Se espera el 25/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET 254En existencias
1,000Se espera el 10/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET 568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII 656En existencias
3,339Se espera el 13/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 21 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 175 C 5 W STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3. 1,233En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 1,555En existencias
6,000Se espera el 6/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 680En existencias
3,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 57 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V 196En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.8 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V 3,274En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in 1,553En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE 1,396En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 32 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III 1,338En existencias
3,000Se espera el 3/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.8 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150 376En existencias
1,000Se espera el 11/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag 2,119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI 2,575En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A 219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa 678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package 1,853En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 2.15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 53 nC - 55 C + 175 C 176.5 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A 2,021En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET 250En existencias
2,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 42 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 90 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a 3,155En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI 5,970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel