OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 720En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 840En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 800En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin 800En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL 1,498En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 720En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 776En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 378En existencias
6,000Se espera el 21/5/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 128En existencias
5,000En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 35En existencias
5,000Se espera el 29/4/2027
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Infineon Technologies Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 5En existencias
4,000Se espera el 2/7/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
500Se espera el 11/6/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
4,760Se espera el 2/7/2026
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Infineon Technologies Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
3,976Se espera el 23/7/2026
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