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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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990En existencias
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V Pwr Mosfet
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1,444En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 14 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 17 Amp
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6,485En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ 17A STripFET II Power MOSFET
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2,402En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 6.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200 Volt 5 Amp
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3,939En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 700 mOhms - 5 V, 5 V 1 V 5 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 60 Amp
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448En existencias
2,500Se espera el 27/7/2026
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 60 A 14 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 56 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
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1,423En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V
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2,836En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 5 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 14 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
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2,589En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 6 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V, 195mOhms, 14A STripFET II Power MOSFET
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1,109En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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910En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
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3,140En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V
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196En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.8 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp
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7,467En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
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609En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp
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734En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 218 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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782En existencias
1,000Se espera el 17/2/2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
Hoja de datos
912En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp
Hoja de datos
1,639En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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313En existencias
1,000Se espera el 12/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 38 Amp
Hoja de datos
1,002En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 65 C + 175 C 80 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp
Hoja de datos
1,995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 44.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp
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2,009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 55 A 18 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 75 V .0095 80A STripFet 2
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811En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
Hoja de datos
1,016En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube