Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
Hoja de datos
168En existencias
510Se espera el 11/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 7A N-CH POLAR
Hoja de datos
39En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
Hoja de datos
1,261En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 32 Amps 1200V
Hoja de datos
589Se espera el 8/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 600V 48A
Hoja de datos
1,690En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
Hoja de datos
617Se espera el 24/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
Hoja de datos
2,948Se espera el 10/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A
Hoja de datos
600Se espera el 30/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds
Hoja de datos
600Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
Hoja de datos
300Se espera el 24/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Hoja de datos
650Se espera el 22/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id14 BVdass800
Hoja de datos
240Se espera el 10/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 22A
Hoja de datos
300Se espera el 10/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 1000V 0.76 Rds
Hoja de datos
330Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 150V 0.024 Rds
Hoja de datos
810Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
Hoja de datos
400Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 800V 0.27 Rds
Hoja de datos
720Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 48A
Hoja de datos
840Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 210 Amps 200V 0.0105 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3