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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.80
-
9,372En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
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9,372En existencias
|
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$1.80
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$1.07
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$0.751
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$0.603
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$0.507
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$0.474
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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|
Si
|
SMD/SMT
|
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N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.66
-
5,668En existencias
-
15,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
5,668En existencias
15,000En pedido
Existencias:
5,668 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 31/12/2026
10,000 Se espera el 15/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.66
|
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$1.71
|
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$1.16
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$0.988
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Ver
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$0.786
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$0.875
|
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$0.828
|
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$0.786
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.05 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC030N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.83
-
92En existencias
-
10,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
92En existencias
10,000En pedido
|
|
|
$4.83
|
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$3.16
|
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$2.35
|
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$1.97
|
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|
Ver
|
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$1.72
|
|
|
$1.83
|
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$1.72
|
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$1.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
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N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
179 A
|
3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
55 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC022N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.42
-
81,169En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
81,169En pedido
En pedido:
1,169 Se espera el 15/10/2026
20,000 Se espera el 29/10/2026
20,000 Se espera el 18/2/2027
40,000 Se espera el 25/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$7.42
|
|
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$4.97
|
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$3.79
|
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$3.43
|
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Ver
|
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$2.64
|
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$3.04
|
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|
$2.99
|
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|
$2.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
230 A
|
2.24 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
254 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC027N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.59
-
19,570En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
19,570En pedido
En pedido:
9,570 Se espera el 25/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$5.59
|
|
|
$3.66
|
|
|
$2.73
|
|
|
$2.29
|
|
|
Ver
|
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|
$1.99
|
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|
$2.12
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.99
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
192 A
|
2.7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
58 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
217 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC060N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.40
-
29,967En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
29,967En pedido
En pedido:
9,967 Se espera el 9/7/2026
10,000 Se espera el 16/7/2026
10,000 Se espera el 1/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$3.40
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.27
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
97 A
|
6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
26 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.59
-
58,496En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
58,496En pedido
En pedido:
3,496 Se espera el 9/7/2026
25,000 Se espera el 25/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.59
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.96
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.764
|
|
|
$0.85
|
|
|
$0.804
|
|
|
$0.764
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.04 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.68
-
13,828Se espera el 9/7/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
13,828Se espera el 9/7/2026
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.706
|
|
|
$0.555
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.493
|
|
|
$0.507
|
|
|
$0.493
|
|
|
$0.493
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
