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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC030N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.54
-
10,262En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
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10,262En existencias
|
|
|
$3.54
|
|
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$2.59
|
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$1.86
|
|
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$1.67
|
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Ver
|
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$1.36
|
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$1.59
|
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$1.42
|
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$1.36
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
|
SMD/SMT
|
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N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
179 A
|
3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
55 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC060N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.65
-
2,513En existencias
-
10,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
2,513En existencias
10,000En pedido
Existencias:
2,513 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 11/6/2026
5,000 Se espera el 2/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.65
|
|
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$1.81
|
|
|
$1.30
|
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|
$1.08
|
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Ver
|
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|
$0.875
|
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|
$1.03
|
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$0.999
|
|
|
$0.875
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
97 A
|
6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
26 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.15
-
7,986En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
7,986En existencias
|
|
|
$2.15
|
|
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$1.37
|
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|
$0.968
|
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$0.772
|
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|
$0.743
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.743
|
|
|
$0.652
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.04 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.68
-
9,913En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
9,913En existencias
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.715
|
|
|
$0.564
|
|
|
$0.416
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.507
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.414
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC027N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.53
-
80En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
80En existencias
20,000En pedido
Existencias:
80 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 28/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$4.53
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
192 A
|
2.7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
58 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
217 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.31
-
200En existencias
-
15,000Se espera el 13/8/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
200En existencias
15,000Se espera el 13/8/2026
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.887
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.666
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.769
|
|
|
$0.666
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.05 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.56
-
2,259En existencias
-
5,000Se espera el 12/3/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
2,259En existencias
5,000Se espera el 12/3/2026
|
|
|
$1.56
|
|
|
$0.987
|
|
|
$0.659
|
|
|
$0.54
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.382
|
|
|
$0.473
|
|
|
$0.435
|
|
|
$0.382
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC022N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.15
-
26,269En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
26,269En pedido
En pedido:
16,269 Se espera el 27/8/2026
10,000 Se espera el 15/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
230 A
|
2.24 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
254 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
