|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
- AFV09P350-04NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$163.40
-
207En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
|
|
207En existencias
|
|
|
$163.40
|
|
|
$138.62
|
|
|
$131.80
|
|
|
$128.63
|
|
|
$120.27
|
|
|
$120.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
105 V
|
720 MHz to 960 MHz
|
19.2 dB
|
100 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-780-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
- AFT27S006NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$18.74
-
1,248En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
|
|
1,248En existencias
|
|
|
$18.74
|
|
|
$14.92
|
|
|
$13.97
|
|
|
$13.96
|
|
|
Ver
|
|
|
$12.56
|
|
|
$13.54
|
|
|
$13.53
|
|
|
$13.49
|
|
|
$12.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
728 MHz to 3.7 GHz
|
16 dB
|
28.8 dBm
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5W
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$351.65
-
38En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
38En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$353.14
-
60En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
|
|
60En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
43 A
|
179 V
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
24.4 dB
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$5.40
-
24,223En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
24,223En existencias
|
|
|
$5.40
|
|
|
$3.52
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.92
|
|
|
$2.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
20.9 dB
|
4.9 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$435.54
-
148En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
|
|
148En existencias
|
|
|
$435.54
|
|
|
$376.50
|
|
|
$361.78
|
|
|
$352.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
24 dB
|
1.25 kW
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$419.88
-
111En existencias
-
250Se espera el 22/6/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
|
|
111En existencias
250Se espera el 22/6/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
43 A
|
179 V
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
25.1 dB
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$6.55
-
6,000En existencias
-
4,000Se espera el 25/6/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
|
|
6,000En existencias
4,000Se espera el 25/6/2026
|
|
|
$6.55
|
|
|
$4.29
|
|
|
$3.64
|
|
|
$3.38
|
|
|
$2.68
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.97
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
3 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
15 dB
|
8 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
DFN-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- MRF1K50HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$409.67
-
65En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
|
|
65En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
135 V
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23.7 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230H-4S
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
- MRFE6VP6300HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$336.74
-
272En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
|
|
272En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
130 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
26.5 dB
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-780-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
- MHT1803B
- NXP Semiconductors
-
1:
$39.29
-
302En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
|
|
302En existencias
|
|
|
$39.29
|
|
|
$31.88
|
|
|
$29.90
|
|
|
$29.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$27.73
|
|
|
$27.14
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
|
1.8 MHz to 50 MHz
|
28.2 dB
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$38.55
-
418En existencias
-
2,500En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
418En existencias
2,500En pedido
Existencias:
418 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 23/6/2026
1,500 Se espera el 24/6/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$38.55
|
|
|
$31.32
|
|
|
$29.51
|
|
|
$27.52
|
|
|
$26.63
|
|
|
$26.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
17.7 dB
|
33 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$19.55
-
219En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
|
|
219En existencias
|
|
|
$19.55
|
|
|
$15.59
|
|
|
$14.60
|
|
|
$14.18
|
|
|
$13.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
40 V
|
764 MHz to 941 MHz
|
15.7 dB
|
32 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
- MRFE6S9060NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$97.94
-
132En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
|
|
132En existencias
|
|
|
$97.94
|
|
|
$81.75
|
|
|
$77.71
|
|
|
$76.22
|
|
|
Ver
|
|
|
$69.87
|
|
|
$73.11
|
|
|
$73.08
|
|
|
$69.87
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
1.5 A
|
66 V
|
1 GHz
|
21.1 dB
|
14 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
TO-270
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$4.48
-
147En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
147En existencias
|
|
|
$4.48
|
|
|
$3.33
|
|
|
$2.92
|
|
|
$2.75
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.05
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.29
|
|
|
$2.15
|
|
|
$2.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4.7 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
16.2 dB
|
6.5 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
HVSON-16
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$62.14
-
8En existencias
-
500Se espera el 1/7/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
|
|
8En existencias
500Se espera el 1/7/2026
|
|
|
$62.14
|
|
|
$43.17
|
|
|
$43.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
18.5 dB
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
- MRF6V10010NR4
- NXP Semiconductors
-
1:
$177.55
-
1En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
|
|
1En existencias
|
|
|
$177.55
|
|
|
$150.61
|
|
|
$143.52
|
|
|
$141.61
|
|
|
$131.70
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
100 V
|
960 MHz to 1.4 GHz
|
25 dB
|
10 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
PLD-1.5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$44.45
-
2,612Se espera el 29/6/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
2,612Se espera el 29/6/2026
|
|
|
$44.45
|
|
|
$36.32
|
|
|
$35.40
|
|
|
$31.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8.8 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
21.1 dB
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$87.52
-
480Se espera el 1/7/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
480Se espera el 1/7/2026
|
|
|
$87.52
|
|
|
$73.42
|
|
|
$65.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
20.4 dB
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$23.11
-
1,124En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
1,124En pedido
En pedido:
124 Se espera el 23/6/2026
1,000 Se espera el 1/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$23.11
|
|
|
$18.50
|
|
|
$17.23
|
|
|
$16.88
|
|
|
Ver
|
|
|
$15.95
|
|
|
$16.39
|
|
|
$15.95
|
|
|
$15.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
17.7 dB
|
33 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
- AFT09MS007NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$7.85
-
9,541En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
|
|
9,541En pedido
En pedido:
541 Se espera el 1/7/2026
9,000 Se espera el 6/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$7.85
|
|
|
$6.03
|
|
|
$5.53
|
|
|
$5.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.30
|
|
|
$5.08
|
|
|
$4.78
|
|
|
$4.59
|
|
|
$4.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
3 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
15.2 dB
|
7.3 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
- MHT1803A
- NXP Semiconductors
-
1:
$39.08
-
239Se espera el 1/10/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
|
|
239Se espera el 1/10/2026
|
|
|
$39.08
|
|
|
$31.80
|
|
|
$29.68
|
|
|
$26.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
|
1.8 MHz to 50 MHz
|
28.2 dB
|
330 W
|
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101BN
- NXP Semiconductors
-
1:
$39.07
-
249Se espera el 24/6/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
249Se espera el 24/6/2026
|
|
|
$39.07
|
|
|
$31.79
|
|
|
$31.09
|
|
|
$28.87
|
|
|
Ver
|
|
|
$27.97
|
|
|
$27.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
N-Channel
|
Si
|
8.8 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
21.1 dB
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300BN
- NXP Semiconductors
-
1:
$87.45
-
Plazo de entrega 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
Plazo de entrega 53 Semanas
|
|
|
$87.45
|
|
|
$72.86
|
|
|
$68.60
|
|
|
$64.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
20.4 dB
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
- A2T08VD020NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$27.44
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-A2T08VD020NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$27.44
|
|
|
$17.98
|
|
|
$15.25
|
|
|
$14.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$11.22
|
|
|
$13.24
|
|
|
$12.46
|
|
|
$11.22
|
|
|
$11.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
64 mA
|
105 V
|
728 MHz to 960 MHz
|
19.1 dB
|
2 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PQFN-24
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|