Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1,486
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 5,882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 7,795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 6,783En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 5,620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 4,366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche 5,141En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 2,399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 4,965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 8,756En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS 10,106En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V UMOS H-Bridge 3,323En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 5.2A 10,520En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 9.9A P-CHANNEL 2,808En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Channel 5.7A MOSFET 8,906En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 15,981En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 16,010En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 13,546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 87,943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W 11,431En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET 185,776En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K 47,804En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC 23,283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 19,208En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT963,10K 19,601En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K 9,880En existencias
21,000Se espera el 21/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000