Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 250V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl HDMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Enhancement Mode
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2.9A MOSFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 20V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS
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1,000Se espera el 20/5/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 7.5A
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6,900Se espera el 27/2/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS
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1,000Se espera el 3/4/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
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6,000Se espera el 26/6/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 3.8A MOSFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM
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