Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006-3 T&R 3K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-6 T&R 10K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
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10,000Se espera el 15/5/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
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7,500Se espera el 4/3/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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3,000Se espera el 4/5/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
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4,975En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A
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860En existencias
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