Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified silicon N-channel MOSFETs. Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs offer low drain-source on-resistance and are ideal for use in high-speed switching applications as well as automotive DC-DC converters and power management switches.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20 2,723En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W 5,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2 2,212En existencias
3,000Se espera el 16/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss 5,951En existencias
3,000Se espera el 17/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected 2,554En existencias
3,000Se espera el 20/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min 19,258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
5,998Se espera el 15/6/2026
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms, 45 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 6.7 nC + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416 Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.65 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel