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XBP14E5UFN-G

Name: Torex Semiconductor XBP14E5UFN-G
Brand: Torex Semiconductor
SKU: 865-XBP14E5UFN-G
Price: 0.47 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

865-XBP14E5UFN-G

Fabricante N.º:

XBP14E5UFN-G

Fabricante:

Torex Semiconductor

Descripción:

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Low Capacitance TVS Diode Array

Hoja de datos:

XBP14E5UFN-G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.47	$0.47
	$0.419	$41.90
	$0.411	$205.50
	$0.294	$294.00
	$0.272	$680.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.135	$675.00
	$0.116	$1,160.00
	$0.111	$2,775.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Torex Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS
RoHS:
Polaridad:	Unidirectional
Número de canales:	4 Channel
Voltaje en funcionamiento:	5 V
Estilo de terminación:	SMD/SMT
Voltaje de fijación:	13 V
Tensión de disparo:	6 V
Paquete / Cubierta:	DFN-2510-10
Ipp - Corriente máxima de pulso:	2.5 A
Cd - Capacidad en diodos:	0.8 pF
Vesd - Contacto de voltaje ESD:	8 kV
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Torex Semiconductor
Producto:	TVS Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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Hoja de datos

XBP14E5UFN-G Hoja de datos (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8536300000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays

Torex XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays are mounted adjacent to an external interface to protect an IC installed in a subsequent stage from static discharge. The low capacitance TVS diode array has a junction temperature of 125ºC and a storage temperature of -55 to +150ºC. The arrays also provide a breakdown voltage range (V_BR) of 6V to 9V. The TVS diode array comes in an ideal package size of DFN2510-10A.