LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs

Nexperia LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs offer 60% lower parasitic inductance and improved thermal performance constructed in the space-saving LFPAK56D package. The LFPAK56D MOSFETs have removed PCB tracks and permit simple automated optical inspection (AOI) during production, resulting in a 30% lower PCB area than dual MOSFETs 3 phase motor control topologies.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 N-CH 40V 98A 166En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 98 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 42A
4,500Se espera el 30/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 13.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13.9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel