Red Enhanced Silicon Photodiodes

Advanced Photonix Red Enhanced Silicon Photodiodes offer a variety of features and packages for numerous applications. The SD113-24-21-021 is a red enhanced Bi-Cell silicon photodiode with a gap of 100µm. It is ideal for accurate nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-5 metal package. The SD 197-23-21-041 is a red enhanced quad-cell silicon photodiode used for nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-8 metal package.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto Paquete / Cubierta Estilo de montaje Longitud de onda máxima Corriente oscura Vr - Tensión inversa Tiempo de subida Tiempo de caída Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima
Advanced Photonix Fotodiodos Red Enhanced Ceramic Package Assembly 48En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Through Hole 1100 nm 6 nA 75 V 190 ns 45 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodos Blue Enhanced Photodiode 1,442En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

PIN Photodiodes SMD/SMT 1100 nm 2 nA 32 V 20 ns 20 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Fotodiodos Red Enhanced Photodiode 36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Wire 660 nm 1 nA 50 V 45 ns 45 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Fotodiodos Bi-Cell Red Enhanced Photodiode Assembly
379En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes TO-5 Through Hole 900 nm 500 pA 50 V 50 ns 15 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodos Red Enhanced Photodiode
160Se espera el 21/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Photodiodes TO-8 Through Hole 1100 nm 1.4 nA 50 V 190 ns 13 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodos Red Enhanced Photodiode
100Se espera el 23/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Wire 1100 nm 90 nA 50 V - 40 C + 100 C