LFPAK P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia LFPAK P-Channel Trench MOSFETs are designed and qualified to AEC-Q101 standards for use in high-performance automotive applications. These MOSFETs feature high thermal power dissipation capability. The P-channel MOSFETs are available in an LFPAK56 (Power SO8) surface-mount device (SMD) plastic package. These Nexperia MOSFETs are suitable for thermally demanding environments due to the 175°C rating. Typical applications include reverse battery protection, power management, high-side load switch, and motor drive.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 40V 39A 8,161En existencias
12,000Se espera el 4/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 40 V 39 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 60V 25A 6,886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 30V 80A 1,885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 40V 64A 293En existencias
3,000Se espera el 4/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42.7 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 30V 45A 373En existencias
3,000Se espera el 4/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 60V 30A 282En existencias
1,500Se espera el 4/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, P-channel Trench MOSFET 7,517En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 25A
2,274Se espera el 19/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel