Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive Power MOSFETs

onsemi Power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_g/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: $4.33
8,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Cinta cortada

$4.33

$2.76

$2.08

$1.80

$1.70

Envase tipo carrete

$1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

NVBLS0D5N04CTXG
onsemi
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864En existencias

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NVBLS0D5N04CTXG

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863-NVBLS0D5N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

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Cinta cortada

$10.22

$6.74

$5.43

$5.14

Envase tipo carrete

$5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

198.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
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863-NVMFS5C420NT1G

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Cinta cortada

$4.54

$2.79

$2.08

$1.80

$1.70

Envase tipo carrete

$1.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ2
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$28.07

$25.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS2
onsemi
1: $35.06
144En existencias

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NXV65HR82DS2

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863-NXV65HR82DS2

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$25.40

$25.22

Min.: 1
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Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi
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NVMFS5C420NLWFT1G

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863-VMFS5C420NLWFT1G

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$4.69

$2.93

$2.22

$1.93

$1.82

Envase tipo carrete

$1.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ1
onsemi
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67En existencias

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NXV65HR82DZ1

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863-NXV65HR82DZ1

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$29.13

$26.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
onsemi
1: $4.79
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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749En existencias

Cinta cortada

$4.79

$3.16

$2.24

$1.93

$1.82

Envase tipo carrete

$1.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

NVBLS4D0N15MC
onsemi
1: $12.65
2,000Se espera el 11/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS4D0N15MC

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863-NVBLS4D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

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2,000Se espera el 11/9/2026

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$12.65

$9.15

Envase tipo carrete

$9.15

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

187 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

90.4 nC

- 55 C

+ 175 C

316 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS1
onsemi
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288Existencias en fábrica disponibles

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NXV65HR82DS1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS1

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$26.51

$26.36

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APMCA-16

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4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

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