Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

700 V

106 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

234 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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$8.37

$4.93

$4.34

$4.33

$3.40

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

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IPW65R029CFD7XKSA1
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$7.35

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R017CFD7XTMA1
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CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPQC65R040CFD7XTMA1
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Cinta cortada

$10.38

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPB65R155CFD7ATMA1
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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

15 A

155 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB65R090CFD7ATMA1
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Cinta cortada

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$3.54

$3.06

Envase tipo carrete

$2.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPZA65R029CFD7XKSA1
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$10.73

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$8.11

$7.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

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+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

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IPB65R041CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $10.87
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1,163En existencias

Cinta cortada

$10.87

$7.45

$5.84

$5.18

Envase tipo carrete

$4.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

N-Channel

1 Channel

700 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPW65R041CFD7XKSA1
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436En existencias

$11.52

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$6.18

$5.58

$5.14

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.78
300En existencias

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IPP65R041CFD7XKSA1

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726-IPP65R041CFD7XKS

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$9.78

$6.71

$5.77

$4.92

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.58
149En existencias

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IPP65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

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149En existencias

$8.58

$5.12

$4.76

$3.95

$3.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPZA65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
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IPZA65R035CFD7AXKSA1

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726-IPZA65R035CFD7AX

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Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

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$9.29

$8.28

$7.74

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.65
Plazo de entrega 17 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W65R090CFD7XKSA1

NRND

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Plazo de entrega 17 Semanas

$7.65

$4.75

$3.84

$3.49

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

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Tube

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