Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Paquete / Cubierta

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ446EP-T1_BE3
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SQJ457EP-T2_GE3
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PowerPAK-8

P-Channel

1 Channel

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36 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ460AEP-T1_BE3
Vishay
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SQJ460AEP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

58 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

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SQJ461EP-T2_GE3
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N-Channel

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1.5 V

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AEC-Q101

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

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Enhancement

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SQJ486EP-T1_BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

SQJ504EP-T1_BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V, 40 V

30 A, 30 A

7.5 mOhms, 17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

30 nC, 85 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOS

SQJ560EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ844AEP-T1_BE3
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SO-8

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30 V

8 A

16.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_BE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

58 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

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TrenchFET

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SQJ860EP-T1_BE3
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SQJ868EP-T1_BE3
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SQJ886EP-T1_BE3
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78-SQJ886EP-T1_BE3

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SQJ910AEP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ910AEP-T2_GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ914EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ914EP-T1_BE3

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78-SQJ914EP-T1_BE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ940EP-T1_BE3
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SQJ940EP-T1_BE3

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78-SQJ940EP-T1_BE3

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SQJ980AEP-T1_BE3
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SQJ980AEP-T1_BE3

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78-SQJ980AEP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFE

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ992EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ992EP-T1_BE3

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78-SQJ992EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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Envase tipo carrete

$0.533

$0.501

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Mult.: 3,000

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ992EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ992EP-T2_GE3

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78-SQJ992EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

SQJ401EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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NRND

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SQJ401EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ401EP-T2_GE3

NRND

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

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SMD/SMT

SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

12 V

32 A

6 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

109 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJA

SQJ456EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
3,000: $1.00
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
SQJ456EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ456EP-T2_GE3

NRND

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJA

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$1.00

Presupuesto

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
15 A, 9.5 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A
24.5 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
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27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
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