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STL25N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STL25N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL25N60M2-EP
Price: 1.18 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STL25N60M2-EP

Fabricante N.º:

STL25N60M2-EP

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8

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STL25N60M2-EP Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-8x8-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	206 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	29 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	STL25N60M2-EP
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	61 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	180 mg

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Hoja de datos

STL25N60M2-EP Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129010
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

STL25N60M2-EP N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STL25N60M2-EP N-Channel Power MOSFET is developed using MDmesh™ M2 EP enhanced performance technology. STMicroelectronics STL25N60M2-EP is housed in a PowerFLAT™ 8x8 HV package with a strip layout and improved vertical structure for low on-resistance and optimized switching characteristics. The MOSFET is suitable for demanding high frequency converters and has very low turn-off switching losses.