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DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 1.67 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DI105N04PQ-AQ

Fabricante N.º:

DI105N04PQ-AQ

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

Hoja de datos:

DI105N04PQ-AQ Hoja de datos (PDF)

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	$0.775	$387.50
	$0.751	$751.00
	$0.664	$1,660.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.624	$3,120.00
	$0.538	$5,380.00
25,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	105 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	116 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.3 ns
Serie:	DI100N
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	N-CHANNEL

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Hoja de datos

DI105N04PQ-AQ Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a low profile, space-saving TDSON-8 package. It comes with a 105A continuous drain current (I_D) and 83W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 2.9mΩ typical (V_GS=4.5V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI105N04PQ is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifier applications.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.