DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET 166En existencias
10,000Se espera el 24/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family 3,145En existencias
40,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,360
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF 19,515En existencias
20,000Se espera el 29/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p 45,202En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
442,473En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
103,344En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
43,995En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
19,984Se espera el 21/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
30,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel