Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.96
1,235 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312ATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
1,235 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.96
10
$2.59
100
$1.82
500
$1.49
1,000
$1.43
2,000
$1.40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
70 A
9.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
1:
$2.50
6,900 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
6,900 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.50
10
$1.59
100
$1.07
500
$0.868
1,000
$0.811
2,500
$0.694
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
35 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD70N10S3-12
Infineon Technologies
1:
$3.22
2,332 En existencias
5,000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S312
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
2,332 En existencias
5,000 En pedido
1
$3.22
10
$2.16
100
$1.57
500
$1.29
1,000
$1.27
2,500
$1.19
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
70 A
11.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
1:
$6.65
4,690 En existencias
1,800 Se espera el 20/8/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N08S5N012
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4,690 En existencias
1,800 Se espera el 20/8/2026
1
$6.65
10
$4.47
100
$3.23
500
$3.00
1,000
$2.79
1,800
$2.79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,800
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOG-8
N-Channel
1 Channel
80 V
300 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
231 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.94
2,904 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT240N08S5N019
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
2,904 En existencias
1
$4.94
10
$3.27
100
$2.32
500
$2.18
1,000
$2.06
2,000
$1.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
80 V
240 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
130 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1:
$6.26
1,775 En existencias
8,000 Se espera el 5/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
1,775 En existencias
8,000 Se espera el 5/11/2026
1
$6.26
10
$4.19
100
$3.02
500
$2.92
1,000
$2.82
2,000
$2.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
166 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPG20N10S436AATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.16
6,478 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S436AATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
6,478 En existencias
1
$2.16
10
$1.39
100
$0.935
500
$0.743
1,000
Ver
5,000
$0.61
1,000
$0.653
2,500
$0.643
5,000
$0.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
31 mOhms, 31 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
9.4 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.40
7,254 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L22ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
7,254 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.40
10
$1.57
100
$1.10
500
$0.897
1,000
Ver
5,000
$0.776
1,000
$0.821
2,500
$0.808
5,000
$0.776
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD50N10S3L-16
Infineon Technologies
1:
$3.01
1,830 En existencias
2,500 Se espera el 27/8/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N10S3L16
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1,830 En existencias
2,500 Se espera el 27/8/2026
1
$3.01
10
$1.80
100
$1.31
500
$1.09
1,000
$1.02
2,500
$0.948
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
50 A
15 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD70N10S3L-12
Infineon Technologies
1:
$3.28
2,503 En existencias
5,000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
2,503 En existencias
5,000 En pedido
1
$3.28
100
$2.38
500
$1.99
1,000
$1.85
2,500
$1.27
5,000
$1.18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
70 A
11.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
59 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1:
$6.15
565 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
565 En existencias
1
$6.15
10
$4.11
100
$2.96
500
$2.71
1,000
$2.53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
80 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
180 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS
IPD22N08S2L-50
Infineon Technologies
1:
$2.21
79 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD22N08S2L-50
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS
79 En existencias
1
$2.21
10
$1.31
100
$0.97
500
$0.772
1,000
$0.709
2,500
$0.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
22 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S222ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.55
1,146 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S222ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
1,146 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.55
10
$1.64
100
$1.12
500
$0.894
1,000
$0.822
2,500
$0.763
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
30 A
17.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
IPD50N08S4-13
Infineon Technologies
1:
$1.97
2,148 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N08S4-13
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
2,148 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.97
10
$1.24
100
$0.813
500
$0.645
2,500
$0.502
10,000
Ver
1,000
$0.592
10,000
$0.488
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
80 V
50 A
11.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
72 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2
IPD60N10S4L12ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.28
576 En existencias
5,000 Se espera el 19/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S4L12ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2
576 En existencias
5,000 Se espera el 19/11/2026
Embalaje alternativo
1
$2.28
10
$1.12
100
$0.981
500
$0.788
2,500
$0.653
5,000
Ver
1,000
$0.743
5,000
$0.62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
9.8 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1:
$2.14
1,613 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
1,613 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.14
10
$1.36
100
$0.917
500
$0.743
2,500
$0.623
5,000
Ver
1,000
$0.666
5,000
$0.592
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
30 A
31 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
57 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD30N10S3L34ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.19
2,144 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34ATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
2,144 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.19
10
$1.08
100
$0.94
500
$0.755
2,500
$0.623
5,000
Ver
1,000
$0.712
5,000
$0.592
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
30 A
31 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
57 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.83
714 En existencias
5,000 Se espera el 10/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-G16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
714 En existencias
5,000 Se espera el 10/9/2026
1
$1.83
10
$1.16
100
$0.763
500
$0.603
1,000
Ver
5,000
$0.462
1,000
$0.523
2,500
$0.498
5,000
$0.462
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
16 A
61 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
7 nC
- 55 C
+ 175 C
29 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1:
$6.22
18 En existencias
4,000 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N013GAU
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
18 En existencias
4,000 Se espera el 15/10/2026
1
$6.22
10
$4.11
100
$2.99
500
$2.69
1,000
$2.61
2,000
$2.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-HSOG-4-1
N-Channel
1 Channel
80 V
350 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
138 nC
- 55 C
+ 175 C
307 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUS165N08S5N029ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.31
344 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUS165N08S5N029
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
344 En existencias
1
$4.31
10
$2.84
100
$2.00
500
$1.68
1,000
$1.57
1,800
$1.57
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,800
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOG-8
N-Channel
1 Channel
80 V
165 A
4.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N10S4L-22
Infineon Technologies
1:
$2.61
187 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
187 En existencias
10,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
$2.61
10
$1.67
100
$1.14
500
$0.964
1,000
Ver
5,000
$0.776
1,000
$0.854
2,500
$0.808
5,000
$0.776
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.14
13 En existencias
20,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L35ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
13 En existencias
20,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
13 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 7/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas
1
$2.14
10
$1.37
100
$0.922
500
$0.738
1,000
Ver
5,000
$0.594
1,000
$0.655
2,500
$0.626
5,000
$0.594
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
29 mOhms, 29 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
17.4 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Infineon Technologies IPD30N10S3L34ATMA2
IPD30N10S3L34ATMA2
Infineon Technologies
1:
$2.12
87 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34AT2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
87 En existencias
1
$2.12
10
$1.35
100
$0.912
500
$0.724
1,000
$0.664
2,500
$0.599
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
100 V
30 A
31 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
57 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC100N10S5N040ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.48
45,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5N040
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
45,000 En pedido
Ver fechas
En pedido:
35,000 Se espera el 8/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
$3.48
10
$2.26
100
$1.56
500
$1.30
1,000
$1.21
5,000
$1.13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
5.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
78 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.16
2,000 Se espera el 7/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S403ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
2,000 Se espera el 7/9/2026
1
$5.16
10
$3.42
100
$2.44
500
$2.14
1,000
$2.00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
140 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel