Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5ATMA1
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BSZ009NE2LS5ATMA1
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IQDH29NE2LM5CGATMA1
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IQE008N03LM5CGATMA1
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30 V

253 A

850 uOhms

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BSZ065N03LSATMA1
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BSZ065N03LSATMA1

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BSZ019N03LSATMA1
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BSZ019N03LSATMA1

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$1.89

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$0.60

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TSDSON-8

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30 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.05
10,000En pedido

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BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

$0.63

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230 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $1.23
12,480Se espera el 23/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC0504NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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12,480Se espera el 23/7/2026

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$1.23

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$0.455

$0.387

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$0.333

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1 Channel

30 V

72 A

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11.1 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.35
11,972En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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11,972En pedido

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$1.35

$0.706

$0.546

$0.439

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$0.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

IQE012N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $2.66
5,000Se espera el 7/5/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE012N03LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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5,000Se espera el 7/5/2026

Cinta cortada

$2.66

$1.70

$1.18

$1.00

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$0.795

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

IQE012N03LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $2.85
6,000Se espera el 21/5/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE012N03LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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6,000Se espera el 21/5/2026

Cinta cortada

$2.85

$1.82

$1.24

$1.03

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Envase tipo carrete

$0.898

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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