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MJE13007G

Name: onsemi MJE13007G
Brand: onsemi
SKU: 863-MJE13007G
Price: 2.24 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-MJE13007G

Fabricante N.º:

MJE13007G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 8A 400V 80W NPN

Hoja de datos:

MJE13007G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	8 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	400 V
Tensión VCBO colector-base:	700 V
Voltaje VEBO emisor-base:	9 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1 V
Dp - Disipación de potencia :	80 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	14 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	MJE13007
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	8 A
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	8
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6 g

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Hoja de datos

MJE13007G Hoja de datos

PCN

SPICE Models

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Malasia

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor

onsemi FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor features high voltage capability and high switching speed. The FJP13007 is suitable for electronic ballast and switching mode power supplies.